Name: TK3R3E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R3E08QMS1X-ND
Price: 3.624 EUR
Availability: InStock

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TK3R3E08QM,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK3R3E08QMS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3R3E08QM,S1X
Description	UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 230W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK3R3E08QM,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,3mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7670 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 58

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,02000 €	3,02 €
50	1,52780 €	76,39 €
100	1,38260 €	138,26 €
500	1,12790 €	563,95 €
1 000	1,04609 €	1 046,09 €
2 000	1,01917 €	2 038,34 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.