Name: TK3R1P04PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3R1P04PLRQTR-ND
Price: 2.172 EUR
Availability: InStock

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TK3R1P04PL,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK3R1P04PLRQTR-ND - Bande et bobine TK3R1P04PLRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK3R1P04PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3R1P04PL,RQ
Description	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 58 A (Tc) 87W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK3R1P04PL,RQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Série U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4670 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 87W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base TK3R1P04
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 29A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,81000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,17200 €

TK3R1P04PL,RQ