Name: TK33S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK33S10N1ZLQTR-ND
Price: 2.484 EUR
Availability: InStock

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TK33S10N1Z,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK33S10N1ZLQTR-ND - Bande et bobine TK33S10N1ZLQCT-ND - Bande coupée (CT) TK33S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK33S10N1Z,LQ
Description	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 33 A (Ta) 125W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK33S10N1Z,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Série U-MOSVIII-H	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2050 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK+
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,7mohms à 16,5A, 10V	Numéro de produit de base TK33S10
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 500µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 5 480

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,07000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,48400 €

TK33S10N1Z,LQ