Name: TK290P60Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P60YRQTR-ND
Price: 3.168 EUR
Availability: InStock

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TK290P60Y,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK290P60YRQTR-ND - Bande et bobine TK290P60YRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK290P60YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK290P60Y,RQ
Description	MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 11,5 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK290P60Y,RQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 450µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Série DTMOSV	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 730 pF @ 300 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base TK290P60
Rds On (max.) à Id, Vgs 290mohms à 5,8A, 10V