Name: TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Price: 8.304 EUR
Availability: InStock

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TK095N65Z5,S1F
Numéro de produit DigiKey	264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK095N65Z5,S1F
Description	650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 29 A (Ta) 230W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSVI
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	95mohms à 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,27mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2880 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3

Questions et réponses sur les produits

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En stock: 195

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,92000 €	6,92 €
30	4,02933 €	120,88 €
120	3,39425 €	407,31 €
510	3,08988 €	1 575,84 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.