Name: SSM6K810R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K810R,LFTR-ND
Price: 0.852 EUR
Availability: InStock

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SSM6K810R,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6K810R,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6K810R,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6K810R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K810R,LF
Description	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,5 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVIII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 430 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP-F
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,5 A (Ta)	Boîtier 6-SMD, sorties plates
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SSM6K810
Rds On (max.) à Id, Vgs 69mohms à 2A, 10V

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,71000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,85200 €

SSM6K810R,LF