Name: SSM6K504NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K504NULFTR-ND
Price: 0.552 EUR
Availability: InStock

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SSM6K504NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6K504NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6K504NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6K504NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K504NU,LF
Description	MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 9 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6K504NU,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.8 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVII	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 620 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,25W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta)	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SSM6K504
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,5mohms à 4A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RF4E110GNTR	Rohm Semiconductor	9 298	RF4E110GNTRCT-ND	0,74000 €	Similaire

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,55200 €

SSM6K504NU,LF