Name: SSM3K127TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K127TULFTR-ND
Price: 0.552 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM3K127TU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3K127TULFTR-ND - Bande et bobine SSM3K127TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3K127TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K127TU,LF
Description	MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3K127TU,LF Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.5 nC @ 4 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 123 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)	Boîtier fournisseur UFM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4V	Boîtier 3-SMD, broches plates
Rds On (max.) à Id, Vgs 123mohms à 1A, 4V	Numéro de produit de base SSM3K127

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 11 128

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine