Name: SSM3K116TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K116TULFTR-ND
Price: 0.528 EUR
Availability: InStock

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SSM3K116TU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3K116TULFTR-ND - Bande et bobine SSM3K116TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3K116TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K116TU,LF
Description	MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 2,2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3K116TU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIII
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 100µA
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	245 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	UFM
Boîtier	3-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	SSM3K116

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