Name: DF2S6P2FU,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: DF2S6P2FUH3FTR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: InStock

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DF2S6P2FU,H3F
Numéro de produit DigiKey	DF2S6P2FUH3FTR-ND - Bande et bobine DF2S6P2FUH3FCT-ND - Bande coupée (CT) DF2S6P2FUH3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	DF2S6P2FU,H3F
Description	TVS DIODE 5.5VWM 23.7VC USC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	23,7V Pince 80 A (8/20µs) Ipp TVS - Diodes Montage en surface USC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DF2S6P2FU,H3F Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Protection des circuits Suppresseurs de tension transitoire (TVS) Diodes TVS	Puissance - Impulsion de crête 1900W (1,9kW)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Protection de ligne électrique Non
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Applications Usage général
Statut du composant Actif	Capacité à fréquence 600pF à 1MHz
Type Zener	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Canaux unidirectionnels 1	Type de montage Montage en surface
Tension - Sécurité inverse (typ.) 5,5V (maxi)	Boîtier SC-76, SOD-323
Tension - Claquage (min.) 5,6V	Boîtier fournisseur USC
Tension - Blocage (max.) @ Ipp 23,7V	Numéro de produit de base DF2S6
Courant - Impulsion de crête (10/1000µs) 80 A (8/20µs)

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Documents et supports

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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