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Fiche technique
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Canal N 60 V 40 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
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STD80N6F7

Numéro de produit DigiKey
STD80N6F7-ND - Bande et bobine
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STD80N6F7
Description
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 40 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
STripFET™ F7
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1600 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252 (DPAK)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
STD80
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,29849 €746,22 €
5 0000,27608 €1 380,40 €
7 5000,26467 €1 985,03 €
12 5000,25398 €3 174,75 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,29849 €
Prix unitaire avec TVA:0,35819 €