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NP90N06VLG-E1-AY | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NP90N06VLG-E1-AY |
Description | MOSFET N-CH 60V 90A TO252 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 90 A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) Montage en surface TO-252 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NP90N06VLG-E1-AY Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6900 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta), 105W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier fournisseur TO-252 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,8mohms à 45A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD10AN06A0 | onsemi | 3 062 | FDD10AN06A0CT-ND | 2,50000 € | Similaire |
| IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 2 268 | IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND | 0,45044 € | Similaire |
| IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | 20 479 | IRFR1018ETRPBFCT-ND | 1,42000 € | Similaire |
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | 517 | IRFR7546TRPBFCT-ND | 1,22000 € | Similaire |
| IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies | 173 | 448-IRLR3636TRLPBFCT-ND | 2,01000 € | Similaire |







