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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 95 A (Tc) 246W (Tc) Montage sur châssis
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GCMX016B120B3H1P

Numéro de produit DigiKey
1560-GCMX016B120B3H1P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GCMX016B120B3H1P
Description
GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
6 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 95 A (Tc) 246W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
SemiQ
Série
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
95 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 120mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
258nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7100pF à 800V
Puissance - Max.
246W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
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En stock: 9
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Tous les prix sont en EUR
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
146,73000 €46,73 €
1035,38600 €353,86 €
10031,34010 €3 134,01 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:46,73000 €
Prix unitaire avec TVA:56,07600 €