
GCMX008B120B3H1P | |
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Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX008B120B3H1P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX008B120B3H1P |
Description | GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 6 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | SemiQ | |
Série | ||
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 canaux N (pont complet) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 120 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 12mohms à 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 120mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 493nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 14400pF à 800V | |
Puissance - Max. | 500W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 76,20000 € | 76,20 € |
| 10 | 59,37200 € | 593,72 € |
| 100 | 56,82640 € | 5 682,64 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 76,20000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 91,44000 € |


