Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.552 EUR
Availability: InStock

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RS3E180ATTB1
Numéro de produit DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Bande et bobine RS3E180ATTB1CT-ND - Bande coupée (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS3E180ATTB1
Description	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 18 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS3E180ATTB1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,4mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7200 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,4W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	RS3E