Canal N 30 V 9,5 A (Ta) 2W (Tc) Montage en surface 8-SOP
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RS3E095BNGZETB

Numéro de produit DigiKey
RS3E095BNGZETBTR-ND - Bande et bobine
RS3E095BNGZETBCT-ND - Bande coupée (CT)
RS3E095BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RS3E095BNGZETB
Description
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 9,5 A (Ta) 2W (Tc) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RS3E095BNGZETB Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
14,6mohms à 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
680 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOP
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base
RS3E
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En stock: 2 478
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,19000 €1,19 €
100,74800 €7,48 €
1000,49580 €49,58 €
5000,38746 €193,73 €
1 0000,35257 €352,57 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,31481 €787,02 €
5 0000,29146 €1 457,30 €
7 5000,27957 €2 096,78 €
12 5000,27080 €3 385,00 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,19000 €
Prix unitaire avec TVA:1,42800 €