Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 1.752 EUR
Availability: InStock

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RS3E135BNGZETB
Numéro de produit DigiKey	RS3E135BNGZETBTR-ND - Bande et bobine RS3E135BNGZETBCT-ND - Bande coupée (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS3E135BNGZETB
Description	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 9,5 A (Ta) 2W (Tc) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS3E135BNGZETB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.3 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,6mohms à 9,5A, 10V	Numéro de produit de base RS3E

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,75200 €

RS3E135BNGZETB