Name: RRH090P03GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRH090P03GZETBTR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

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RRH090P03GZETB
Numéro de produit DigiKey	RRH090P03GZETBTR-ND - Bande et bobine RRH090P03GZETBCT-ND - Bande coupée (CT) RRH090P03GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RRH090P03GZETB
Description	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9 A (Ta) 650mW (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15,4mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	650mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	RRH090