Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.788 EUR
Availability: InStock

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RQ3C150BCTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Bande et bobine RQ3C150BCTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3C150BCTB
Description	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 30 A (Tc) 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3C150BCTB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,7mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4800 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	20W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	RQ3C150