Name: RCJ331N25TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RCJ331N25TLTR-ND
Price: 4.224 EUR
Availability: InStock

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RCJ331N25TL
Numéro de produit DigiKey	846-RCJ331N25TLTR-ND - Bande et bobine 846-RCJ331N25TLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RCJ331N25TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RCJ331N25TL
Description	250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 33 A (Tc) 1,56W (Ta), 211W (Tc) Montage en surface TO-263S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,56W (Ta), 211W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263S
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	RCJ331