R6020KNZ1C9 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

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Canal N 600 V 20 A (Tc) 231W (Tc) Trou traversant TO-247
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

R6020KNZ1C9

Numéro de produit DigiKey
R6020KNZ1C9-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
R6020KNZ1C9
Description
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 20 A (Tc) 231W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6020KNZ1C9 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1550 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
231W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
196mohms à 9,5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (13)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
R6020KNZ4C13Rohm Semiconductor402846-R6020KNZ4C13-ND7,28000 €Direct
R6020KNZC17Rohm Semiconductor17846-R6020KNZC17-ND5,55000 €Similaire
FCH190N65F-F155onsemi381FCH190N65F-F155-ND6,35000 €Direct
IPW60R190C6FKSA1Infineon Technologies2 139IPW60R190C6FKSA1-ND4,78000 €Similaire
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND13,54000 €Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.