Name: BSS84XHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSS84XHZGG2CRTR-ND
Price: 0.672 EUR
Availability: InStock

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BSS84XHZGG2CR
Numéro de produit DigiKey	846-BSS84XHZGG2CRTR-ND - Bande et bobine 846-BSS84XHZGG2CRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-BSS84XHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSS84XHZGG2CR
Description	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface DFN1010-3W
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	230mA (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,3ohms à 230mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	34 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN1010-3W
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	BSS84