Name: BD2320EFJ-LAE2
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BD2320EFJ-LAE2TR-ND
Price: 2.616 EUR
Availability: InStock

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BD2320EFJ-LAE2
Numéro de produit DigiKey	846-BD2320EFJ-LAE2TR-ND - Bande et bobine 846-BD2320EFJ-LAE2CT-ND - Bande coupée (CT) 846-BD2320EFJ-LAE2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BD2320EFJ-LAE2
Description	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel et bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-HTSOP-J
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Haut potentiel et bas potentiel
Type de canal	Indépendant
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	7,5V ~ 14,5V
Tension logique - VIL, VIH	1,7V, 1,5V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	3,5 A, 4,5 A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	100 V
Temps de montée / descente (typ.)	8ns, 6ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) plot exposé
Boîtier fournisseur	8-HTSOP-J
Numéro de produit de base	BD2320

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Quantité

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