Name: RJK03M5DNS-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK03M5DNS-00#J5TR-ND
Price: 1.932 EUR
Availability: InStock

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RJK03M5DNS-00#J5
Numéro de produit DigiKey	RJK03M5DNS-00#J5TR-ND - Bande et bobine RJK03M5DNS-00#J5CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RJK03M5DNS-00#J5
Description	MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 25 A (Ta) 15W (Tc) Montage en surface 8-HWSON (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RJK03M5DNS-00#J5 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1890 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 15W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-HWSON (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Ta)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base RJK03M5
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,3mohms à 12,5A, 10V