Name: RBE035N04R0SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE035N04R0SZN6#HB0TR-ND
Price: 0.34184 EUR
Availability: OutOfStock

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RBE035N04R0SZN6#HB0
Numéro de produit DigiKey	559-RBE035N04R0SZN6#HB0TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RBE035N04R0SZN6#HB0
Description	POWER:POWER MOSFETS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2100 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	71W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (4,9x5,75)
Boîtier	8-PowerTDFN

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Quantité

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Bande et bobine