Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 3.156 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)

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RBE029N10R1SZN6#HB0
Numéro de produit DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Bande et bobine 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Bande coupée (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RBE029N10R1SZN6#HB0
Description	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 109µA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 91 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 165W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DFN (4,9x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 80A, 10V