Équivalent paramétrique

RBE020N04R0SZN6#HB0 | |
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Numéro de produit DigiKey | 559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RBE020N04R0SZN6#HB0 |
Description | POWER:POWER MOSFETS |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface 8-DFN (4,9x5,75) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 83 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4160 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur 8-DFN (4,9x5,75) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 50A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| RBA100N04DANS-4UB02#HB0 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND | 0,37034 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 000 | 0,43192 € | 2 159,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,43192 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 0,51830 € |


