Name: IRFR1018ETRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR1018ETRPBFTR-ND
Price: 1.704 EUR
Availability: InStock

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IRFR1018ETRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR1018ETRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR1018ETRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR1018ETRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR1018ETRPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 56 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2290 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 56 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFR1018
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,4mohms à 47A, 10V

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