Name: NP50P06KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.936 EUR
Availability: InStock

Canal P 60 V 50 A (Tc) 1,8W (Ta), 90W (Tc) Montage en surface TO-263

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NP50P06KDG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP50P06KDG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP50P06KDG-E1-AY
Description	MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 50 A (Tc) 1,8W (Ta), 90W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP50P06KDG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC @ 10 V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5000 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,8W (Ta), 90W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-263
Rds On (max.) à Id, Vgs 17mohms à 25A, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA	Numéro de produit de base NP50P06