Name: UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UG3SC120009K4S-ND
Price: 66.768 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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UG3SC120009K4S
Numéro de produit DigiKey	5556-UG3SC120009K4S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	UG3SC120009K4S
Description	1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 120 A (Tc) 789W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 100A, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4,7V à 320mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	196 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8157 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	789W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	55,64000 €	55,64 €
10	42,69700 €	426,97 €
100	41,99740 €	4 199,74 €

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.