Name: SBSP52T1G
Brand: onsemi
SKU: SBSP52T1GOSTR-ND
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SBSP52T1G
Numéro de produit DigiKey	SBSP52T1GOSTR-ND - Bande et bobine SBSP52T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) SBSP52T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	SBSP52T1G
Description	TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 2000 à 500mA, 10V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 800 mW
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Type de transistor NPN - Darlington	Qualification AEC-Q101
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 1 A	Type de montage Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 80 V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1,3V à 500µA, 500mA	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 10µA	Numéro de produit de base SBSP52