Name: BSP52T1G
Brand: onsemi
SKU: BSP52T1GOSTR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

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BSP52T1G
Numéro de produit DigiKey	BSP52T1GOSTR-ND - Bande et bobine BSP52T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) BSP52T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	BSP52T1G
Description	TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 10µA
Fabricant onsemi	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 2000 à 500mA, 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 800 mW
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor NPN - Darlington	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 1 A	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 80 V	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1,3V à 500µA, 500mA	Numéro de produit de base BSP52