Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Pont en H 650 V 26 A 16-SSIP plot exposé, broches formées
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NXV65HR82DS2

Numéro de produit DigiKey
488-NXV65HR82DS2-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NXV65HR82DS2
Description
MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Pont en H 650 V 26 A 16-SSIP plot exposé, broches formées
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type
MOSFET
Configuration
Pont en H
Courant
26 A
Tension
650 V
Tension - Isolement
5000Vrms
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
16-SSIP plot exposé, broches formées
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En stock: 112
Stock usine : 3 312
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
130,17000 €30,17 €
1024,50500 €245,05 €
7221,85083 €1 573,26 €
14421,21708 €3 055,26 €
28820,69556 €5 960,32 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:30,17000 €
Prix unitaire avec TVA:36,20400 €
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