Name: NXV08A170DB2
Brand: onsemi
SKU: 488-NXV08A170DB2-ND
Price: 20.508 EUR
Availability: InStock

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NXV08A170DB2
Numéro de produit DigiKey	488-NXV08A170DB2-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXV08A170DB2
Description	MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 200A (Tj) Trou traversant APM12-CBA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,99mohms à 80A, 10V, 1,35mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	195nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14000pF à 40V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q100
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Module 12-PowerDIP (1,118po, 28,40mm)
Boîtier fournisseur	APM12-CBA

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	17,09000 €	17,09 €
10	12,23500 €	122,35 €
288	9,64462 €	2 777,65 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.