Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 7.092 EUR
Availability: InStock

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IAUTN08S5N012LATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUTN08S5N012LATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUTN08S5N012LATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N, drain commun, source commune
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,15mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,3V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15340pF à 40V
Puissance - Max.	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerSFN
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-2