Canal N 40 V 16 A (Ta) 3,2W (Ta) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
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NVTFS5811NLTAG

Numéro de produit DigiKey
488-NVTFS5811NLTAGTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NVTFS5811NLTAG
Description
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 16 A (Ta) 3,2W (Ta) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NVTFS5811NLTAG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1570 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NVTFS5
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Obsolète
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