Canal N 60 V 632mA (Ta), 853mA (Tc) 1,437W (Ta), 2,617W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 3-XDFNW (1x1)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVNJWS1K6N061LTAG

Numéro de produit DigiKey
488-NVNJWS1K6N061LTAG-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NVNJWS1K6N061LTAG
Description
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 632mA (Ta), 853mA (Tc) 1,437W (Ta), 2,617W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 3-XDFNW (1x1)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
632mA (Ta), 853mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
26 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,437W (Ta), 2,617W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur
3-XDFNW (1x1)
Boîtier
3-XFDFN
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

0 en stock
En raison d'un approvisionnement limité temporaire, nous ne pouvons pas accepter les commandes différées, et le délai d'approvisionnement n'est pas disponible.