Name: NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS9D3N06CLTWGTR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

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NVMYS9D3N06CLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMYS9D3N06CLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMYS9D3N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMYS9D3N06CLTWG
Description	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3,6W (Ta), 46W (Tc) Montage en surface LFPAK4 (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14 A (Ta), 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,2mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 35µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	880 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 46W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK4 (5x6)
Boîtier	SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base	NVMYS9D3