Name: NVMYS021N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS021N06CLTWGOSTR-ND
Price: 1.512 EUR
Availability: InStock

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NVMYS021N06CLTWG
Numéro de produit DigiKey	NVMYS021N06CLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVMYS021N06CLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMYS021N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMYS021N06CLTWG
Description	MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 9,8 A (Ta), 27 A (Tc) 3,8W (Ta), 28W (Tc) Montage en surface LFPAK4 (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 410 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 28W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,8 A (Ta), 27 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur LFPAK4 (5x6)
Rds On (max.) à Id, Vgs 21mohms à 10A, 10V	Boîtier SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 16µA	Numéro de produit de base NVMYS021