Name: NVMFS5C442NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C442NWFET1GTR-ND
Price: 3.036 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5C442NWFET1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS5C442NWFET1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS5C442NWFET1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS5C442NWFET1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS5C442NWFET1G
Description	T6-40V N 2.3 MOHMS SL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 29A (Ta), 140A (Tc) 3,7W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2100 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29A (Ta), 140A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 90µA	Numéro de produit de base NVMFS5

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 788

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1 500	0,75017 €	1 125,26 €
3 000	0,70372 €	2 111,16 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,53000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,03600 €

NVMFS5C442NWFET1G