Name: NTLJD3119CTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3119CTBGOSTR-ND
Price: 1.368 EUR
Availability: InStock

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NTLJD3119CTBG
Numéro de produit DigiKey	NTLJD3119CTBGOSTR-ND - Bande et bobine NTLJD3119CTBGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJD3119CTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJD3119CTBG
Description	MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,6 A, 2,3 A 710mW Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTLJD3119CTBG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 65mohms à 3,8A, 4,5V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série µCool™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3,7nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 271pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 710mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 6-WDFN (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6 A, 2,3 A	Numéro de produit de base NTLJD3119