Canal N 40 V 16,4 A (Ta), 101 A (Tc) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc) Montage en surface DPAK
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NTD5802NT4G

Numéro de produit DigiKey
NTD5802NT4GOSTR-ND - Bande et bobine
NTD5802NT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTD5802NT4G
Description
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 16,4 A (Ta), 101 A (Tc) 2,5W (Ta), 93,75W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTD5802NT4G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
100 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5025 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta), 93,75W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,4mohms à 50A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
STD95N4LF3STMicroelectronics3 406497-8776-1-ND2,17000 €Similaire
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage3 154TK65S04N1LLQCT-ND2,48000 €Similaire
TSM038N04LCP ROGTaiwan Semiconductor Corporation416TSM038N04LCPROGCT-ND2,01000 €Similaire
En stock: 3 168
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Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,01000 €2,01 €
101,28800 €12,88 €
1000,87910 €87,91 €
5000,70424 €352,12 €
1 0000,64805 €648,05 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,58726 €1 468,15 €
5 0000,58314 €2 915,70 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,01000 €
Prix unitaire avec TVA:2,41200 €