Canal N 30 V 9,4 A (Ta), 41 A (Tc) 1,38W (Ta), 26,3W (Tc) Montage en surface DPAK
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NTD4969NT4G

Numéro de produit DigiKey
2832-NTD4969NT4GTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTD4969NT4G
Description
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 9,4 A (Ta), 41 A (Tc) 1,38W (Ta), 26,3W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,4 A (Ta), 41 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
837 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,38W (Ta), 26,3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
NTD4969
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