Name: NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBLS1D5N10MCTXGTR-ND
Price: 7.896 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTBLS1D5N10MCTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTBLS1D5N10MCTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTBLS1D5N10MCTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTBLS1D5N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBLS1D5N10MCTXG
Description	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 32A (Ta), 312A (Tc) 3,4W (Ta), 322W (Tc) Montage en surface 8-HPSOF
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	32A (Ta), 312A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 799µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10100 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,4W (Ta), 322W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HPSOF
Boîtier	8-PowerSFN