Name: NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: NSS40302PDR2GOSTR-ND
Price: 1.944 EUR
Availability: InStock

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NSS40302PDR2G
Numéro de produit DigiKey	NSS40302PDR2GOSTR-ND - Bande et bobine NSS40302PDR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NSS40302PDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSS40302PDR2G
Description	TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 1 NPN, 1 PNP 40V 3A 100MHz 653mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSS40302PDR2G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 180 à 1A, 2V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 653mW
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 100MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 3A	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 40V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 115mV à 200mA, 2A	Numéro de produit de base NSS40302
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO)