NCP5181DR2G onsemi | Circuits d'attaque de grille

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NCP5181DR2G
Numéro de produit DigiKey	NCP5181DR2GOSTR-ND - Bande et bobine NCP5181DR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NCP5181DR2G
Description	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NCP5181DR2G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille	Tension logique - VIL, VIH 0,8V, 2,3V
Fabricant onsemi	Courant - Sortie de crête (source, absorption) 1,4 A, 2,2 A
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Type d'entrée Sans inversion
Statut du composant Obsolète	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 600 V
Programmable DigiKey Non vérifié	Temps de montée / descente (typ.) 40ns, 20ns
Configuration Demi-pont	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de canal Indépendant	Type de montage Montage en surface
Nombre de circuits d'attaque 2	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Type de grille MOSFET (canal N)	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension - Alimentation 10V ~ 20V	Numéro de produit de base NCP5181

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NCP51530ADR2G	onsemi	7 018	NCP51530ADR2GOSCT-ND	1,15000 €	Recommandation fabricant
NCP5183DR2G	onsemi	11 298	NCP5183DR2GOSCT-ND	2,40000 €	Recommandation fabricant
DGD2181S8-13	Diodes Incorporated	180	DGD2181S8-13DICT-ND	1,22000 €	Similaire

En stock: 2 035

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Non annulable/Non remboursable

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)