FQPF8N80CYDTU onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQPF8N80CYDTU
Numéro de produit DigiKey	488-FQPF8N80CYDTU-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQPF8N80CYDTU
Description	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 8 A (Tc) 59W (Tc) Trou traversant TO-220F-3 (Y-Forming)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,55ohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2050 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	59W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Boîtier	TO-220-3 boîtier complet, broches formées
Numéro de produit de base	FQPF8

Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète

Options de stock

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	0,95541 €	764,33 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.