Name: FQB19N20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB19N20TMTR-ND
Price: 3.264 EUR
Availability: InStock

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FQB19N20TM
Numéro de produit DigiKey	FQB19N20TMTR-ND - Bande et bobine FQB19N20TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB19N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB19N20TM
Description	MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 19,4 A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQB19N20TM Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,13W (Ta), 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,4 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB19N20
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,7A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF640NSTRLPBF	Infineon Technologies	11 863	IRF640NSTRLPBFCT-ND	2,07000 €	Similaire
IRL640SPBF	Vishay Siliconix	12	IRL640SPBF-ND	3,61000 €	Similaire
SIHF640S-GE3	Vishay Siliconix	689	742-SIHF640S-GE3-ND	2,58000 €	Similaire
STB19NF20	STMicroelectronics	7 962	497-7941-1-ND	1,75000 €	Similaire