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FQB19N20CTM est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Recommandation fabricant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQB19N20CTM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQB19N20CTMTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQB19N20CTM |
Description | MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 19 A (Tc) 3,13W (Ta), 139W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1080 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 3,13W (Ta), 139W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 9,5A, 10V |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB125N65S3 | onsemi | 496 | 488-FCB125N65S3CT-ND | 5,53000 € | Recommandation fabricant |
Obsolète
Non annulable/Non remboursable
