Canal N 250 V 24 A (Tc) 108W (Tc) Trou traversant TO-3PF
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FQAF40N25

Numéro de produit DigiKey
FQAF40N25-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQAF40N25
Description
MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
Référence client
Description détaillée
Canal N 250 V 24 A (Tc) 108W (Tc) Trou traversant TO-3PF
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FQAF40N25 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
70mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4000 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
108W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-3PF
Boîtier
Boîtier complet TO-3P-3
Numéro de produit de base
FQAF4
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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